Лаборатория «Криоэлектроника» предлагает следующие тематики курсовых работ студентам второго курса.

Список тем курсовых работ уточняется. Студенты, по согласованию с научным руководителем, могут выбрать иную тему.

Наноэлектроника

Старший научный сотрудник Крупенин Владимир Александрович, комн. Ц-49А, тел. (495) 939-39-87.

  • Разработка, изготовление и исследование наноструктур полевых транзисторов с каналом-нанопроводом.
  • Разработка, изготовление и исследование наноструктур одноэлектронных транзисторов на основе кремния на изоляторе.
  • Экспериментальное и теоретическое исследование полевых и наномеханических сенсоров.

Зондовая микроскопия

Старший научный сотрудник Трифонов Артем Сергеевич, комн. Ц-49А, тел. (495) 939-39-87.

  • Изучение принципов работы сканирующего туннельного микроскопа. Измерение локальных вольт-амперных характеристик.
  • Изучение принципов работы атомно-силового микроскопа. Получение изображений наноструктур в контактном и бесконтактном режимах.

Молекулярная микро- и наноэлектроника

Старший научный сотрудник Солдатов Евгений Сергеевич тел. (495) 939-59-35, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра..

  • Молекулярные элементы наноэлектроники: возможные методы создания и возможности применения.
  • Возможности использования дискретности электрического заряда для построения наноэлектронных устройств нового поколения.
  • Особенности экспериментального исследования структурных и электрофизических характеристик молекулярных наноструктур.

Системы и устройства на основе низкотемпературных и высокотемпературных сверхпроводников

Профессор Снигирев Олег Васильевич, комн. 3-79, тел. (495) 939-30-00

  • Разработка и исследование ВТСП проводников 3 го поколения на гибких нитевидных подложках
  • Исследование путей построения системы определения углового положения оси вращения сферического сверхпроводящего ротора криогенного гироскопа на базе СКВИД-магнитометров

Физические основы криоэлектроники

Совместно с кафедрой атомной физики, физики плазмы и микроэлектроники.

Профессор Корнев Виктор Константинович, комн. 2-68А, тел. (495) 939-43-51, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра..

  • Макроскопические квантовые эффекты в сверхпроводниках и сверхпроводниковых структурах.
  • Вторичные макроскопические квантовые эффекты в сверхпроводниковых структурах.
  • Кулоновская блокада и коррелированное туннелирование одиночных электронов.
  • Дуальность эффектов джозефсоновской генерации и блоховских осцилляций в сверхпроводниковых структурах.
  • Сквиды (SQUID = Superconducting Quantum Interference Device) и их применение.
  • Джозефсоновские компараторы тока, их характеристики и применения.
  • Быстрая одноквантовая логика (RSFQ Logic = Rapid Single Flux Logic) и цифровая сверхпроводниковая электроника.
  • Сверхпроводниковые кубиты (квантовые биты).
  • Джозефсоновские переходы на основе низкотемпературных и высокотемпературных сверхпроводников.
  • Явление синхронизации джозефсоновских осцилляций и его использование.

Методы расчета многоэлектронных систем (основы квантовой химии)

Совместно с кафедрой атомной физики, физики плазмы и микроэлектроники.

Научный сотрудник Шорохов Владислав Владимирович, тел. (495) 939-59-35, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра..

  • Расчет электронной плотности S состояний гелий - подобных атомов методом конечных элементов (на основе программного комплекса FemLab)
  • Расчет свойств простейших молекул на основе метода Хартри-Фока в базисе Гауссовского типа.
  • Расчет свойств молекул для целей наноэлектроники. Расчет одноэлектронного энергетического спектра молекул в основном и возбужденном состоянии для различных зарядовых состояний. Расчет собственной и взаимной эффективной емкости молекул и наночастиц с использование программного комплекса PC GAMESS.
  • Метод имитационного моделирования туннельного транспорта в молекулярных одноэлектронных устройствах.Расчет вольтамперных и сигнальных характеристик простейших молекулярных одноэлектронных устройств.
  • Изучение свойств одномерных и двумерных туннельных барьеров методом плоских волн. Расчет коэффициентов прозрачности и темпов туннелирования для туннельных барьеров различного профиля.