Иван Владимирович Сапков

Иван Владимирович Сапков

Молекулярная одноэлектроника
Младший научный сотрудник


Список публикаций

Presnov D.E., Dagesyan S.A., Bozhev I.V., Shorokhov V.V., Trifonov A.S., Shemukhin A.A., Sapkov I.V., Prokhorova I.G., Snigirev O.V., Krupenin V.A. Single-Electron Structures Based on Solitary Dopant Atoms of Arsenic, Phosphorus, Gold, and Potassium in Silicon. Moscow University Physics Bulletin 74, 2 (2019), 165-170. [ DOI ].

Sapkov, I., and Soldatov, E. Narrowing of nanogap for purpose of molecular single-electronics. In Proc. SPIE 8700, International Conference Micro- and Nano-Electronics 2012 (2013), pp. 87000O–1–87000O–6. [ DOI ]

Сапков, И., Колесов, В., и Солдатов, Е. Нанотехнология для наноэлектроники: формирование нанозазора в металлическом нанопроводе сфокусированным ионным пучком. Радиотехника, 10 (2011), 28–35.

Sapkov, I., Kolesov, V., and Soldatov, E. Preparation of electrodes for molecular transistor by focused ion beam. In Proc. SPIE (2010), 7521, pp. 752110–1–752110–6. [ DOI ].

Сапков, И., Колесов, В., и Солдатов, Е. Использование сфокусированного ионного пучка при создании молекулярного одноэлектронного транзистора. Вестник Московского университета. Серия 3. Физика, астрономия, 4 (2009), 26–29.

Sapkov, I., Soldatov, E., and Elensky, V. Method of creation of monomolecular transistor with “overhanging” electrodes. In Proc. SPIE 7025 (2008), pp. 70250P–1–70250P–8. [ DOI ].