Новости
- Подробности
Оригинал новости размещен на сайте: http://www.optecgroup.com/news/strann2018/?SECTION_ID=&DATE_RANGE=01.10.2018
© Компания ОПТЕК, 2018.
17-19 октября состоялась шестая международная конференция STRANN 2018 (State-of-the-art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects), которая в этом году впервые проходила в Москве.
Конференция STRANN (Cовременные тенденции научных исследований нанообъектов искусственного и природного происхождения) — это международный научный форум для исследователей, работа которых связана с нано-объектами в областях физики, новых материалов и структур, в биотехнологиях и науке о жизни. Возможность проведения исследований в этих областях науки обеспечивают современные передовые методы микроскопии и аналитики: высокоразрешающая и аналитическая электронная и ионная микроскопия, зондовая микроскопия, комбинированная микроскопия-спектроскопия и связанные методы.
Ведущие ученые и эксперты в области нанотехнологий собрались в Москве, чтобы обсудить последние достижения и тенденции в области исследования, создания и применения нанообъектов. В этом году к списку ключевых тематик конференции добавились квантовые технологии и все, что связано с разработками, которые в дальнейшем приведут к созданию квантового компьютера.
Конференцию посетило более 120 участников. Насыщенная программа продлилась три дня и включала лекции приглашенных ученых из ведущих российских и зарубежных научных центров, а также устные и стендовые доклады.
Среди ключевых спикеров с докладами выступили:
- Юрий Пашкин, Университет Ланкастера, Ланкастер, Великобритания. Использование наномеханических резонаторов для исследования квантовых жидкостей;
- Александр Зорин, Национальный институт метрологии (РТВ), Брауншвейг и Берлин, Германия. Создание джозефсоновских параметрических усилителей на основе бегущих микроволн;
- Андрей Чувилин, Исследовательский центр CIC nanoGUNE, Испания. Плазмоника и фотоника. Электронно-микроскопическое исследование полупроводников и углеродных наноматериалов;
- Павел В. Баранов, Московский физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе, Россия.Разработка методов магнитного резонанса при изучении нанообъектов;
- Валерий В. Рязанов, Институт физики твердого тела, Российская академия наук. Сверхпроводящие и гибридные наноструктуры для цифровых и квантовых сверхпроводниковых логических схем;
- Сергей П. Кулик, Центр квантовых технологий, Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Россия. Одиночные нейтральные атомы в оптических микроловушках;
- Проф. Юрген Кристен, Университет им. Отто фон Герике, Германия. Исследование полупроводниковых 3D наноструктур с помощью сверхвысокоразрешающего ПРЭМ с катодолюминисценцией при температурах жидкого гелия;
- Проф. Николас Смит, Осакский университет, Япония. Мультирежимное оптическое измерение состояния клетки в отсутствии контрастирующих агентов;
- Кэрол Трэгер-Кован, Университет Стратклайда, Великобритания. Исследование структурных и люминесцентных свойства полупроводников с помощью сканирующего электронного микроскопа;
- Проф. Эли Капон, Федеральная политехническая школа Лозанны, Швейцария. Изучение квантовых и фотонных ограничений в наномасштабе.
Организаторами конференции STRANN традиционно выступают Санкт-Петербургский государственный университет, Университет ИТМО и компания ОПТЭК. В этом году к составу организаторов впервые присоединился МГУ им. М.В. Ломоносова.
 |
 |
 |
 |
В день открытия с приветственными словами от имени организаторов к участникам конференции обратились ее организаторы: Александр Олегович Голубок, д.ф-м.н., заведующий кафедрой Материаловедения Университета ИТМО, сопредседатель конференции STRANN; Олег Федорович Вывенко, д.ф-м.н., профессор СПбГУ, сопредседатель конференции STRANN; Олег Васильевич Снигирев, д.ф-м.н., профессор Физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова и Ольга Алексеевна Середкина, генеральный директор ОПТЭК.
Снигирев Олег Васильевич, д.ф-м.н., профессор Физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова отметил:«МГУ им. М.В. Ломоносова присоединился к составу организаторов конференции STRANN. Конференция была нам интересна по ряду причин. Во-первых, мы видели, что наши сотрудники, которые участвовали в ней ранее, получали много ценной информации. Во-вторых, мы поняли, что можем внести определенную свежую струю в развитие конференции и расширить ее тематику, что и случилось в этот раз: так, помимо чисто классических микроскопических тематик появилась квантовая информатика и так далее. Конференция STRANN действительно предполагает обмен актуальными знаниями и дает понимание, что произошло в науке за прошедшие два года. Два года в современной науке — это довольно значительный, хотя и не очень большой срок. Но мы всегда смотрим вперед, отслеживаем новые тенденции и выделяем направления, куда еще можно двигаться. И именно эти основные моменты мы постарались отразить в программе конференции».
Цель конференции STRANN — создание площадки для общения ученых, которых объединяют задачи изучения свойств нанообъектов и разработки соответствующих технологий. Обмен опытом и обсуждение результатов исследований помогают лучше понять сложные аспекты изучения микро и наноразмерных объектов. Ключевой темой являются тенденции и методики, которые позволят решить актуальные текущие и перспективные задачи.
Фотоотчет с мероприятия доступен по ссылке.
- Подробности
Уважаемые коллеги!
Приглашаем Вас к участию в VI Международной научной конференции STRANN-2018 (State-of-the-art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects), проходящей 17−19 октября в Москве.
Конференция STRANN - это международный научный форум для исследователей, связанных с нано-объектами в областях физики, новых материалов и структур, в биотехнологиях и науке о жизни, возможность исследования в которых обеспечивают современные передовые методы микроскопии и аналитики (высокоразрешающая и аналитическая электронная и ионная микроскопия, зондовая микроскопия, комбинированная микроскопия-спектроскопия и связанные методы).
Обмен опытом и дискуссия между учеными различных областей способствует лучше понять комплексные аспекты исследований микро- и наноразмерных объектов, современные существующие и зарождающиеся на стыке наук новейшие тренды, подходы, методики и интереснейшие приложения.
Программа конференции включает в себя доклады приглашенных экспертов ведущих мировых научно-исследовательских центров, устные и стендовые доклады , представляющие оригинальные результаты
Избранные статьи будут опубликованы в рецензируемом журнале AIP Conference Proceedings
Международный программный комитет
150+ участников из 10+ стран
Более подробная информация на сайте конференции: STRANN-2018
- Подробности
9 ноября проводится экскурсия по лаборатории, на которой вы сможете подробнее узнать о научной работе в лаборатории, увидеть экспериментальные установки и познакомиться с коллективом лаборатории. Сбор в 17.15 в аудитории 2-82
- Подробности
Ученые лаборатории «Криоэлектроника» физического факультета провели исследования по разработке, созданию и изучению вычислительных электронных устройств на новых физических принципах. Физикам МГУ удалось создать одноэлектронный транзистор на основе 3-х атомов фосфора. О своей работе ученые рассказали в статье, которая была опубликована в журнале Nanotechnology.
«В серии последовательных процессов реактивно-ионного травления (РИТ) кремниевой структуры одноэлектронного транзистора удалось наблюдать по диаграммам стабильности постепенную трансформацию устройства от классического состояния с макроскопическим островом до одноатомного состояния, когда электронный транспорт в транзисторе осуществлялся через единичные примесные атомы», - рассказал автор статьи, старший научный сотрудник лаборатории «Криоэлектроника» физического факультета МГУ Владимир Крупенин
Оптимизированные технологические процессы для изготовления нового устройства из кремния на изоляторе (КНИ) позволили увеличить коэффициент управления транзистора за счет приближения управляющего затвора к области локализации примесных атомов. Созданный сотрудниками факультета и НИИЯФ транзистор позволил изучить закономерности параллельного переноса электронов через три примесных атома фосфора. В результате исследования удалось обнаружить характерное расщепление кулоновских токовых треугольников, которое ранее было предсказано в теоретических работах.
«По обнаруженному расщеплению удалось оценить среднее расстояние между примесными атомами фосфора в мостике транзистора. Продолжающиеся исследования проводятся в направлении поиска оптимальных кристаллических материалов и примесных атомов, которые определяют рабочую температуру одноатомного одноэлектронного транзистора и уровень его шумов. Исследователи надеются увеличить рабочую температуру подобных устройств вплоть до комнатной. Уже в ближайшее время планируется изготовление одноатомных транзисторов на основе нетрадиционных для полупроводниковой промышленности примесных атомов и кристаллических подложек», - заключил ученый.
Работа сотрудников физического факультета МГУ поддержана Российским Научным Фондом.
Оригинал новоcти: Официальный сайт физического факультета.
- Подробности
Ученые физического факультета и НИИЯФ МГУ провели исследования по разработке, созданию и изучению одноатомных твердотельных устройств. Результаты их работы опубликованы в журнале Nanoscale (DOI: 10.1039/C6NR07258E).
«Разработка, создание и исследование одноатомных структур являются продолжением и развитием работ по созданию классических и молекулярных одноэлектронных устройств, проводившихся в лаборатории «Криоэлектроника» с конца 80-х годов. Сотрудниками лаборатории были разработаны и экспериментально продемонстрированы уникальные наноэлектронные устройства: одноэлектронная ячейка памяти с рекордным временем хранения единичного электрона, одноэлектронный транзистор с уникальной зарядовой чувствительностью, первый в мире молекулярный одноэлектронный транзистор, работающий при комнатной температуре, и наконец - одноатомный одноэлектронный транзистор», - рассказывает старший научный сотрудник лаборатории «Криоэлектроника» физического факультета МГУ Владимир Крупенин.
Размер базового элемента созданного транзистора приближается к физическому пределу: ученые создали твердотельное электронное устройство, размер элементов которого приближается к атомным размерам. Рабочим элементом одноатомного одноэлектронного твердотельного транзистора стал одиночный примесный атом мышьяка, размещенный между туннельными и управляющими электродами в приповерхностной области тонкого монокристаллического кремниевого слоя толщиной 50 нм, расположенного на поверхности диэлектрической подложки. Электрический ток в таком транзисторе - это последовательный пространственно-коррелированный туннельный перенос одиночных электронов между транспортными электродами через выделенный примесный атом. Выделенный примесный атом мышьяка, находящийся в приповерхностном слое кристалла кремния, работает как сверхмалый проводящий остров, который может содержать в себе положительный и отрицательный заряд величиной в несколько электронов. Эффективный размер такого острова для атома мышьяка в кристаллическом кремнии составляет всего 2-3 нм. Основной особенностью одноатомного одноэлектронного транзистора и его существенным отличием от одноэлектронных транзисторов на основе молекул и квантовых точек является специфический одночастичный энергетический спектр электронов выделенного примесного атома. Расстояние между электронными уровнями энергии примесного атома уменьшается по мере роста энергии уровня и его приближения к дну зоны проводимости, что свойственно свободным атомам. Наличие такого энергетического спектра позволяет однозначно идентифицировать туннелирование электронов через выделенный атомный центр по измеренной токовой диаграмме стабильности, в которой максимальная величина блокады транспортного тока монотонно уменьшается по мере увеличения управляющего напряжения.
«Полученные результаты позволяют надеяться на разработку в будущем промышленной технологии создания одноэлектронных одноатомных вычислительных устройств и устройств памяти, работающих на новых физических принципах. Среди таких потенциальных устройств можно отметить квантовые вычислительные устройства и так называемые одноэлектронные одноатомные зарядовые клеточные автоматы, в которых отдельные примесные атомы будут играть роль клеток, между которыми передается заряд или состояние поляризации. Что немаловажно, разработанная технология изготовления совместима с традиционной КМОП технологией, а предложенное устройство является масштабируемым, что позволяет изготавливать СБИС», - заключил ученый.
Работа ученых МГУ по созданию и изучению одноатомных одноэлектронных устройств поддержана Российским Научным Фондом.
Оригинал новости: http://phys.msu.ru/rus/news/archive/201704221247/
- Подробности
Если Вас заинтересовала деятельность лаборатории, ждём вас в любое время с 11 до 18 в комнатах 2-56 (молекулярная одноэлектроника), Ц-49а (наноэлектроника), 2-68а (сверхпроводниковая электроника), 3-79 (системы и устройства на основе низкотемпературных и высокотемпературных сверхпроводников).
- Подробности
6 июля на Физическом факультете МГУ состоялось торжественное открытие учебно-методического центра литографии и микроскопии. В церемонии открытия приняли участие ректор МГУ академик Виктор Антонович Садовничий, декан физического факультета Николай Николаевич Сысоев, управляющий группы компаний ОПТЭК, представляющей концерн Carl Zeiss и компанию Raith в России, Максим Семёнович Игельник и заведующий лабораторией «Криоэлектроника» Олег Васильевич Снигирев.
Учебно-методический центр литографии и микроскопии — результат сотрудничества Физического факультета МГУ и концерна Carl Zeiss — лидера в области электронной микроскопии. В 2014 году было подписано соглашение о сотрудничестве и принято решение о создании Центра. На сегодняшний день Центр является первым в Московском университете обладателем сертификатов классности для работ в области наноэлектроники, полученный при его создании опыт будет применён при реализации проекта научно-технологической долины «Воробьёвы горы».
«Это первая лаборатория в стенах Физического факультета, где оборудованы и сертифицированы чистые комнаты, созданы все условия не только для научной работы, но и для изготовления прототипов промышленных устройств. Направления работы самые резные: это наноэлектроника, молекулярная одноэлектроника, сверхпроводниковая электроника, биосенсоры, микроэлектромеханические системы и многое другое. В лаборатории будут проводиться работы по междисциплинарным проектам с привлечением научных групп других факультетов и подразделений МГУ», — рассказывает Николай Николаевич Сысоев.
Центр снабжён новейшим оборудованием, которое позволит проводить фундаментальные исследования и решать прикладные задачи. В чистых помещениях установлены современные световые, электронные, материаловедческие микроскопы, некоторые из них впервые на апробации в России. Учёные физического факультета рассказали Виктору Антоновичу, что уже открыли новую недокументированную функцию одного из микроскопов — оказалось, что на нём можно выполнять травление фоторезиста.
На базе Учебно-методического центра литографии и микроскопии будут активно проводиться совместные образовательные мероприятия, в том числе международные: мастер-классы, лекции, научно- практические семинары. Проекты Минобрнауки "Разработка физических основ технологии получения высокотемпературных сверхпроводящих проводов 3-го поколения и исследование их характеристик», а так же «Разработка наносенсорной биомагнитной тест-системы на основе нуклеиновых кислот для быстрого детектирования заболеваний разной этиологии», выполняемые физическим факультетом совместно с НИИ физико-химической биологии им. А.Н. Белозерского и Chalmers University of Technology (Швеция) будут реализовываться в Центре. Также уже известно, что Центр станет базой проекта Российского научного фонда по исследованию транзисторов «Исследование металлических и полупроводниковых наноструктур для создания элементной базы информационных систем нового поколения».
Оригинал новости и фотографии: http://phys.msu.ru/rus/news/archive/201607081154/.
- Подробности
Обновился список курсовых работ для студентов второго курса.
Подкатегории
Семинары лаборатории и кафедры физики полупроводников
В разделе представлена информация о научных семинарах лаборатории «Криоэлектроника», начиная с сентября 2014 года. С 8 декабря 2014 года семинары лаборатории объединены с семинарами кафедры физики полупроводников.
